SI2305DS-T1-E3

Vishay Siliconix

SI2305DS-T1-E3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 8V 3.5A SOT23-3

ObsoletTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs52mOhm @ 3.5A, 4.5V
Basis-TeilenummerSI2305
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1245 pF @ 4 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id800mV @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung8 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.5A (Ta)

Mechanisch

GehäuseCut Tape (CT)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hersteller-GehäuseSOT-23-3 (TO-236)