SI2302DDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI2302DDS-T1-GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3

AktivTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Basis-TeilenummerSI2302
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.5 nC @ 4.5 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id850mV @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.9A (Tj)
Max. Verlustleistung710mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hersteller-GehäuseSOT-23-3 (TO-236)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)