SI1965DH-T1-BE3

Name: SI1965DH-T1-BE3
Brand: Vishay Siliconix

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6

Aktiv6-TSSOP, SC-88, SOT-363Analog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	390mOhm @ 1A, 4.5V
Basis-Teilenummer	SI1965
Konfiguration	2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.2nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	120pF @ 6V
Hersteller	Vishay Siliconix
Montageart	Surface Mount
Verpackung	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Teilestatus	Aktiv
Serie	TrenchFET®
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA

Drain-Source-Spannung	12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.14A (Ta), 1.3A (Tc)
Power - Max	740mW (Ta), 1.25W (Tc)

Package / Case	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Hersteller-Gehäuse	SC-70-6

Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)