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SI1902DL-T1-BE3

Vishay Siliconix

SI1902DL-T1-BE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6

Abgekündigt6-TSSOP, SC-88, SOT-363Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs385mOhm @ 660mA, 4.5V
Basis-TeilenummerSI1902
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.2nC @ 4.5V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusLast Time Buy
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C660mA (Ta)
Power - Max270mW (Ta)

Mechanisch

Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Hersteller-GehäuseSC-70-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)

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Prüfung erforderlich

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