SI1450DH-T1-E3

Vishay Siliconix

SI1450DH-T1-E3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 8V 4.53A/6.04A SC70

Obsolet6-TSSOP, SC-88, SOT-363Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs47mOhm @ 4A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.05 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds535 pF @ 4 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±5V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung8 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.53A (Ta), 6.04A (Tc)
Max. Verlustleistung1.56W (Ta), 2.78W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Hersteller-GehäuseSC-70-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)