SI1427EDH-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI1427EDH-T1-GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 20V 2A SC70-6

Aktiv6-TSSOP, SC-88, SOT-363Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs64mOhm @ 3A, 4.5V
Basis-TeilenummerSI1427
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21 nC @ 8 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Tc)
Max. Verlustleistung1.56W (Ta), 2.8W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Hersteller-GehäuseSC-70-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)