SI1426DH-T1-E3

Vishay Siliconix

SI1426DH-T1-E3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70-6

Obsolet6-TSSOP, SC-88, SOT-363Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs75mOhm @ 3.6A, 10V
Basis-TeilenummerSI1426
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3 nC @ 4.5 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.8A (Ta)
Max. Verlustleistung1W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Hersteller-GehäuseSC-70-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)