SI1419DH-T1-E3

Vishay Siliconix

SI1419DH-T1-E3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 200V 300MA SC70-6

Obsolet6-TSSOP, SC-88, SOT-363Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs5Ohm @ 400mA, 10V
Basis-TeilenummerSI1419
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.2 nC @ 10 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 100µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C300mA (Ta)
Max. Verlustleistung1W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Hersteller-GehäuseSC-70-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)