SI1413DH-T1-E3

Vishay Siliconix

SI1413DH-T1-E3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 20V 2.3A SC70-6

Obsolet6-TSSOP, SC-88, SOT-363Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs115mOhm @ 2.9A, 4.5V
Basis-TeilenummerSI1413
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.5 nC @ 4.5 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id800mV @ 100µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.3A (Ta)
Max. Verlustleistung1W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Hersteller-GehäuseSC-70-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)