SI1402DH-T1-E3

Vishay Siliconix

SI1402DH-T1-E3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 2.7A SC70-6

Obsolet6-TSSOP, SC-88, SOT-363Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs77mOhm @ 3A, 4.5V
Basis-TeilenummerSI1402
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.5 nC @ 4.5 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.6V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.7A (Ta)
Max. Verlustleistung950mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Hersteller-GehäuseSC-70-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)