SI1401EDH-T1-BE3

Vishay Siliconix

SI1401EDH-T1-BE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 12V 4A/4A SC70-6

Aktiv6-TSSOP, SC-88, SOT-363Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs34mOhm @ 5.5A, 4.5V
Basis-TeilenummerSI1401
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs36 nC @ 8 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung12 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Ta), 4A (Tc)
Max. Verlustleistung1.6W (Ta), 2.8W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Hersteller-GehäuseSC-70-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)