SI1330EDL-T1-E3

Vishay Siliconix

SI1330EDL-T1-E3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 240MA SC70-3

AktivSC-70, SOT-323Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.5Ohm @ 250mA, 10V
Basis-TeilenummerSI1330
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.6 nC @ 4.5 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)3V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C240mA (Ta)
Max. Verlustleistung280mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSC-70, SOT-323
Hersteller-GehäuseSC-70-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)