SI1308EDL-T1-BE3

Vishay Siliconix

SI1308EDL-T1-BE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 1.5A/1.4A SC70-3

AktivSC-70, SOT-323Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs132mOhm @ 1.4A, 10V
Basis-TeilenummerSI1308
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds105 pF @ 15 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.5A (Ta), 1.4A (Tc)
Max. Verlustleistung400mW (Ta), 500mW (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSC-70, SOT-323
Hersteller-GehäuseSC-70-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)