SI1305DL-T1-E3

Vishay Siliconix

SI1305DL-T1-E3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 8V 860MA SC70-3

ObsoletSC-70, SOT-323Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs280mOhm @ 1A, 4.5V
Basis-TeilenummerSI1305
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4 nC @ 4.5 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id450mV @ 250µA (Min)

Elektrisch

Drain-Source-Spannung8 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C860mA (Ta)
Max. Verlustleistung290mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSC-70, SOT-323
Hersteller-GehäuseSC-70-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)