SI1304BDL-T1-E3

Vishay Siliconix

SI1304BDL-T1-E3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 900MA SC70-3

ObsoletSC-70, SOT-323Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs270mOhm @ 900mA, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds100 pF @ 15 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C900mA (Tc)
Max. Verlustleistung340mW (Ta), 370mW (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSC-70, SOT-323
Hersteller-GehäuseSC-70-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)