SI1078X-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI1078X-T1-GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F

AktivSOT-563, SOT-666Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs142mOhm @ 1A, 10V
Basis-TeilenummerSI1078
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds110 pF @ 15 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.02A (Tc)
Max. Verlustleistung240mW (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-563, SOT-666

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)