SI1046R-T1-E3

Vishay Siliconix

SI1046R-T1-E3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 20V SC75A

ObsoletSC-75, SOT-416Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs420mOhm @ 606mA, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.49 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds66 pF @ 10 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id950mV @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C606mA ( Ta)
Max. Verlustleistung250mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSC-75, SOT-416
Hersteller-GehäuseSC-75A

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)