SI1037X-T1-E3

Vishay Siliconix

SI1037X-T1-E3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 20V 770MA SC89

ObsoletSOT-563, SOT-666Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs195mOhm @ 770mA, 4.5V
Basis-TeilenummerSI1037
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.5 nC @ 4.5 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id450mV @ 250µA (Min)

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C770mA (Ta)
Max. Verlustleistung170mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-563, SOT-666
Hersteller-GehäuseSC-89 (SOT-563F)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)