SI1025X-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI1025X-T1-GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC89

AktivSOT-563, SOT-666Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs4Ohm @ 500mA, 10V
Basis-TeilenummerSI1025
Konfiguration2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.7nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds23pF @ 25V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C190mA
Power - Max250mW

Mechanisch

Package / CaseSOT-563, SOT-666
Hersteller-GehäuseSC-89 (SOT-563F)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)