SI1023X-T1-E3

Vishay Siliconix

SI1023X-T1-E3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SC89

ObsoletSOT-563, SOT-666Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Basis-TeilenummerSI1023
Konfiguration2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.5nC @ 4.5V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusObsolet
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id450mV @ 250µA (Min)

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C370mA
Power - Max250mW

Mechanisch

Package / CaseSOT-563, SOT-666
Hersteller-GehäuseSC-89 (SOT-563F)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)