SI1012CR-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI1012CR-T1-GE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 20V SC75A

AktivSC-75, SOT-416Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs396mOhm @ 600mA, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds43 pF @ 10 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieTrenchFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C630mA (Ta)
Max. Verlustleistung240mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSC-75, SOT-416
Hersteller-GehäuseSC-75A

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)