IRLZ14PBF-BE3

Vishay Siliconix

IRLZ14PBF-BE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB

AktivTO-220-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs200mOhm @ 6A, 5V
Basis-TeilenummerIRLZ14
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds400 pF @ 25 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartThrough Hole
VerpackungTube
TeilestatusAktiv
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Tc)
Max. Verlustleistung43W (Tc)

Mechanisch

Package / CaseTO-220-3
Hersteller-GehäuseTO-220AB

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)