IRLR120TRPBF

Vishay Siliconix

IRLR120TRPBF

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK

AktivTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs270mOhm @ 4.6A, 5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds490 pF @ 25 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.7A (Tc)
Max. Verlustleistung2.5W (Ta), 42W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseDPAK

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)