IRFZ34PBF

Vishay Siliconix

IRFZ34PBF

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB

AbgekündigtTO-220-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 18A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1200 pF @ 25 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartThrough Hole
VerpackungTube
TeilestatusLast Time Buy
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tc)
Max. Verlustleistung88W (Tc)

Mechanisch

Package / CaseTO-220-3
Hersteller-GehäuseTO-220AB

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)