IRFR1N60APBF-BE3

Vishay Siliconix

IRFR1N60APBF-BE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK

AktivTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs7Ohm @ 840mA, 10V
Basis-TeilenummerIRFR1
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds229 pF @ 25 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
VerpackungTube
TeilestatusAktiv
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.4A (Tc)
Max. Verlustleistung36W (Tc)

Mechanisch

Package / CaseTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseTO-252AA

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)