IRFR010PBF-BE3

Vishay Siliconix

IRFR010PBF-BE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK

AktivTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs200mOhm @ 4.6A, 10V
Basis-TeilenummerIRFR010
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds250 pF @ 25 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung50 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.2A (Tc)
Max. Verlustleistung25W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseTO-252AA

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)