IRFL210TRPBF-BE3

Vishay Siliconix

IRFL210TRPBF-BE3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223

AktivTO-261-4, TO-261AAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 580mA, 10V
Basis-TeilenummerIRFL210
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds140 pF @ 25 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C960mA (Tc)
Max. Verlustleistung2W (Ta), 3.1W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
Hersteller-GehäuseSOT-223

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)