IRFBA22N50APBF

Vishay Siliconix

IRFBA22N50APBF

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 500V 24A SUPER-220

ObsoletSuper-220™Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs230mOhm @ 13.8A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3400 pF @ 25 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C24A (Tc)
Max. Verlustleistung340W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseSuper-220™
Hersteller-GehäuseSUPER-220™ (TO-273AA)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)