IRC830PBF

Vishay Siliconix

IRC830PBF

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-5

ObsoletTO-220-5Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 2.7A, 10V
FET FeatureCurrent Sensing
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds610 pF @ 25 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
SerieHEXFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.5A (Tc)
Max. Verlustleistung74W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-5
Hersteller-GehäuseTO-220-5

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)