IRC634PBF

Name: IRC634PBF
Brand: Vishay Siliconix

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220-5

ObsoletTO-220-5Analog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	450mOhm @ 4.9A, 10V
FET Feature	Current Sensing
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	770 pF @ 25 V
Hersteller	Vishay Siliconix
Montageart	Through Hole
Product Status	Obsolete
Serie	HEXFET®
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA

Drain-Source-Spannung	250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	8.1A (Tc)
Max. Verlustleistung	74W (Tc)

Betriebstemperatur	-55°C~150°C(TJ)