DG636EN-T1-E4

Vishay Siliconix

DG636EN-T1-E4

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IC SWITCH DUAL SPDT 16-MINIQFN

Obsolet16-WFQFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Channel Capacitance (CS(off), CD(off))2.1pF, 4.2pF
Charge Injection0.1pC
Crosstalk-88dB @ 10MHz
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Multiplexer/Demultiplexer Circuit2:1
Max. Einschaltwiderstand115Ohm
Product StatusObsolete
Ron)1Ohm
Switch CircuitSPDT
Switch Time (Ton, Toff) (Max)60ns, 52ns

Elektrisch

Voltage - Supply, Dual (V±)±2.7V ~ 5V
Voltage - Supply, Single (V+)2.7V ~ 12V
Current - Leakage (IS(off)) (Max)100pA
-3db Bandwidth610MHz
Anzahl Schaltungen2

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case16-WFQFN

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~125°C(TA)