DG2032EDN-T1-GE4

Vishay Siliconix

DG2032EDN-T1-GE4

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IC SWITCH SPDT X 2 3.1OHM 12QFN

Aktiv12-VFQFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Channel-to-Channel Matching (ΔRon)10mOhm
Charge Injection-19.4pC
Crosstalk-62dB @ 1MHz
HerstellerVishay Siliconix
MontageartSurface Mount
Multiplexer/Demultiplexer Circuit2:1
Max. Einschaltwiderstand3.1Ohm
Product StatusActive
Switch CircuitSPDT
Switch Time (Ton, Toff) (Max)40ns, 33ns

Elektrisch

Voltage - Supply, Single (V+)1.8V ~ 5.5V
-3db Bandwidth221MHz
Anzahl Schaltungen2

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case12-VFQFN Exposed Pad

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)