3N164

Vishay Siliconix

3N164

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 30V 50MA TO72

ObsoletTO-206AF, TO-72-4 Metal CanAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs300Ohm @ 100µA, 20V
FET TypeP-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3.5 pF @ 15 V
HerstellerVishay Siliconix
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 10µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50mA (Ta)
Max. Verlustleistung375mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Hersteller-GehäuseTO-72

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)