Allgemein
| Basis-Teilenummer | S8D2 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 430pF @ 4V, 1MHz |
| Hersteller | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Serie | eSMP®, TMBS® |
| Technologie | Schottky |
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
VSS8D2M6HM3/I
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
DIODE SCHOTTKY 60V 2A SLIMSMAW
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 60 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 480 mV @ 1 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 2A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200 µA @ 60 V |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Mechanisch
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | DO-221AC, SMA Flat Leads |
| Hersteller-Gehäuse | SlimSMAW (DO-221AD) |
Umwelt
| Grade | Automotive |
|---|---|
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 175°C |
| Qualification | AEC-Q101 |