VS-VSKJ250-08PBF

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

VS-VSKJ250-08PBF

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE MOD GP 800V 125A MAGNAPAK

AktivMAGN-A-PAKAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerVSKJ250
Diode Configuration1 Pair Common Anode
HerstellerVishay General Semiconductor - Diodes Division
MontageartChassis Mount
Product StatusActive
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)800 V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)125A
Current - Reverse Leakage @ Vr50 mA @ 800 V
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseMAGN-A-PAK
Hersteller-GehäuseMAGN-A-PAK®

Umwelt

Operating Temperature - Junction-40°C ~ 150°C