Allgemein
| Hersteller | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
|---|---|
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 113 ns |
| Serie | FRED Pt® G5 |
| Technologie | Standard |
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
VS-E5TH3012S2L-M3
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263AB
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.5 V @ 30 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 30A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 1200 V |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Mechanisch
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Hersteller-Gehäuse | TO-263AB (D2PAK) |
Umwelt
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
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