Allgemein
| Basis-Teilenummer | 8TQ100 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 500pF @ 5V, 1MHz |
| Hersteller | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Montageart | Through Hole |
| Verpackung | Tube |
| Teilestatus | Aktiv |
| Technologie | Schottky |
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
VS-8TQ100-M3
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO220AC
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 880 mV @ 16 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 550 µA @ 100 V |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Mechanisch
| Package / Case | TO-220-2 |
|---|---|
| Hersteller-Gehäuse | TO-220AC |
Umwelt
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
|---|