VS-4EVH02-M3/I

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

VS-4EVH02-M3/I

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 200V 4A SLIMDPAK

AktivAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-Teilenummer4EVH02
HerstellerVishay General Semiconductor - Diodes Division
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)25 ns
SerieFRED Pt®
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1 V @ 4 A
Current - Average Rectified (Io)4A
Current - Reverse Leakage @ Vr3 µA @ 200 V
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Hersteller-GehäuseSlimDPAK

Umwelt

Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C