Allgemein
| Basis-Teilenummer | 1N3767 |
|---|---|
| Hersteller | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Montageart | Chassis, Stud Mount |
| Product Status | Active |
| Technologie | Standard |
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
VS-1N3767
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
DIODE GEN PURP 900V 35A DO203AB
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 900 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 110 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 35A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 3 mA @ 900 V |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Mechanisch
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | DO-203AB, DO-5, Stud |
| Hersteller-Gehäuse | DO-203AB (DO-5) |
Umwelt
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 190°C |
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