Allgemein
| Basis-Teilenummer | 123NQ100 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 2650pF @ 5V, 1MHz |
| Hersteller | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Montageart | Chassis Mount |
| Product Status | Active |
| Technologie | Schottky |
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
VS-123NQ100PBF
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
DIODE SCHOTTKY 100V 120A D-67
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 910 mV @ 120 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 120A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 3 mA @ 100 V |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Mechanisch
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | D-67 HALF-PAK |
| Hersteller-Gehäuse | D-67 HALF-PAK |
Umwelt
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
|---|