Allgemein
| Basis-Teilenummer | 10ETF12 |
|---|---|
| Hersteller | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 310 ns |
| Technologie | Standard |
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
VS-10ETF12THM3
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.33 V @ 10 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100 µA @ 1200 V |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Mechanisch
| Gehäuse | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-2 |
| Hersteller-Gehäuse | TO-220AC |
Umwelt
| Grade | Automotive |
|---|---|
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 150°C |
| Qualification | AEC-Q101 |