Allgemein
| Basis-Teilenummer | 100BGQ100 |
|---|---|
| Hersteller | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Montageart | Chassis Mount |
| Product Status | Active |
| Technologie | Schottky |
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
VS-100BGQ100
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
DIODE SCHOTT 100V 100A POWIRTAB
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.04 V @ 100 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 100A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 300 µA @ 100 V |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Mechanisch
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | PowerTab™, PowIRtab™ |
| Hersteller-Gehäuse | PowIRtab™ |
Umwelt
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
|---|