Allgemein
| Basis-Teilenummer | VBT1080 |
|---|---|
| Hersteller | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Technologie | Schottky |
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
VBT1080S-E3/8W
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
DIODE SCHOTTKY 80V 10A TO263AB
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 80 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 810 mV @ 10 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 600 µA @ 80 V |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Mechanisch
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Hersteller-Gehäuse | TO-263AB (D²PAK) |
Umwelt
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
|---|