Allgemein
| Basis-Teilenummer | V20120 |
|---|---|
| Hersteller | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Montageart | Through Hole |
| Verpackung | Tube |
| Teilestatus | Aktiv |
| Serie | TMBS® |
| Technologie | Schottky |
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
V20120S-E3/4W
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO220-3
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 120 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.12 V @ 20 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 20A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 300 µA @ 120 V |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Mechanisch
| Package / Case | TO-220-3 |
|---|---|
| Hersteller-Gehäuse | TO-220-3 |
Umwelt
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 150°C |
|---|