Allgemein
| Basis-Teilenummer | V10PM6 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 1650pF @ 4V, 1MHz |
| Hersteller | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Montageart | Surface Mount |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Teilestatus | Aktiv |
| Serie | eSMP®, TMBS® |
| Technologie | Schottky |
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
V10PM6HM3/I
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
DIODE SCHOTTKY 60V 10A TO277A
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 60 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 640 mV @ 10 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 800 µA @ 60 V |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Mechanisch
| Package / Case | TO-277, 3-PowerDFN |
|---|---|
| Hersteller-Gehäuse | TO-277A (SMPC) |
Umwelt
| Grade | Automotive |
|---|---|
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 175°C |
| Qualification | AEC-Q101 |