Allgemein
| Capacitance @ Vr, F | 500pF @ 4V, 1MHz |
|---|---|
| Hersteller | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Technologie | Schottky |
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
V10P22-M3/H
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
DIODE SCHOTTKY 200V 3.1A TO277A
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900 mV @ 10 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 3.1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 150 µA @ 200 V |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Mechanisch
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | TO-277, 3-PowerDFN |
| Hersteller-Gehäuse | TO-277A (SMPC) |
Umwelt
| Grade | Automotive |
|---|---|
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 175°C |
| Qualification | AEC-Q101 |