Allgemein
| Basis-Teilenummer | V10P12 |
|---|---|
| Hersteller | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Serie | eSMP®, TMBS® |
| Technologie | Standard |
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
V10P12HM3_A/I
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
DIODE GEN PURP 120V 10A TO277A
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 120 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 820 mV @ 10 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 400 µA @ 120 V |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Mechanisch
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | TO-277, 3-PowerDFN |
| Hersteller-Gehäuse | TO-277A (SMPC) |
Umwelt
| Grade | Automotive |
|---|---|
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 150°C |
| Qualification | AEC-Q101 |