US1D-E3/61T

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

US1D-E3/61T

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

AktivDO-214AC, SMAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerUS1D
Capacitance @ Vr, F15pF @ 4V, 1MHz
HerstellerVishay General Semiconductor - Diodes Division
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
Reverse Recovery Time (trr)50 ns
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1 V @ 1 A
Current - Average Rectified (Io)1A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 200 V
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

Package / CaseDO-214AC, SMA
Hersteller-GehäuseDO-214AC (SMA)

Umwelt

Operating Temperature - Junction-55°C ~ 150°C