Allgemein
| Basis-Teilenummer | US1B |
|---|---|
| Hersteller | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Technologie | Standard |
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
US1B-M3/5AT
DatenblattAnalog & Leistungselektronik
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1 V @ 1 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 100 V |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Mechanisch
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | DO-214AC, SMA |
| Hersteller-Gehäuse | DO-214AC (SMA) |
Umwelt
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
|---|