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UGB8FTHE3_A/I

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

UGB8FTHE3_A/I

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB

ObsoletTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerUGB8
HerstellerVishay General Semiconductor - Diodes Division
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
Reverse Recovery Time (trr)50 ns
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.25 V @ 8 A
Current - Average Rectified (Io)8A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 300 V
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hersteller-GehäuseTO-263AB (D2PAK)

Umwelt

GradeAutomotive
Operating Temperature - Junction-40°C ~ 150°C
QualificationAEC-Q101

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Prüfung erforderlich

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